采用密度泛函理论研究了As2O3(g)在Fe、La掺杂CeO2(110)表面及氧缺陷LaCeO(110)表面的吸附行为,探索了LaCeO表面砷吸附能力显著高于FeCeO表面的主要原因。结果表明,As2O3(g)的吸附效果与吸附位点数量、吸附能、键长和电荷转移密切相关。纯CeO2表面的吸附主要为化学吸附,吸附能绝对值大于-4.22 eV,电荷转移量为-0.19 e--0.31 e,As2O3得到电荷带负电,起表面受主作用,因此吸附量较小。FeCeO(110)表面新增Fe顶位和Bridge-2桥位两个吸附位,其中Fe顶位为化学吸附,Fe掺杂改变了FeCeO表面电子分布和晶格结构,但并未改变As2O3与FeCeO之间的电荷转移方向,因此As2O3仍呈负离子形式吸附。LaCeO(110)表面新增了3个吸附位:La顶位、Bridge-3桥位和Hollow-2空位,La掺杂改变了As2O3与LaCeO之间的电荷转移方向,使得As2O3失电子呈正离子吸附,起表面施主作用,因此吸附能力增强。无O2环境下,单一O缺陷LaCeO(110)表面吸附能力低于完整LaCeO表面;有O2环境下,O缺陷有利于As2O3的吸附。