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多热源合成SiC温度场的动态数学模型及数值分析
  • 394
  • 346
  • 作者

    陈杰王晓刚

  • 单位

    西安科技大学材料科学与工程系

  • 摘要
    通过对多热源合成SiC冶炼炉的传热学分析,确定了冶炼炉温度场的边界条件,建立了冶炼炉温度场的动态数学模型,采用有限单元法对温度场进行了数值分析.以工业试验为基础,对碳化硅冶炼炉温度场进行了数值求解,数值模拟得到最佳供电时间为66~72 h,工业试验为60~75 h,结果与工业试验吻合.该方法可进一步确定工业生产中的供电参数、炉体参数及物料配比,为工业生产提供理论指导.
  • 关键词

    多热源合成SiC温度场动态数学模型数值分析

  • 基金项目(Foundation)
    国家自然科学基金资助项目(50174046)；陕西省教育厅专向科研计划资助项目(08JK347)；
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    [1]多热源合成SiC供电时间的选择研究

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