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作者
张哲于斌李天保余春燕贾伟郭俊杰许并社
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单位
太原理工大学材料科学与工程学院太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室
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摘要
实验以升华温度较低的三氯化铟（InCl3）为铟源,通过自制的卤化物化学气相沉积（HCVD）装置扩大了Ⅲ、Ⅴ族源共混生长区域,实现了InN在Si（111）衬底上的生长。探讨了生长温度与氨气流量对InN结构和形貌的影响。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和X射线能谱仪（EDS）对InN的晶体结构、形貌和元素组成进行表征。分析结果表明:固定NH3流量,随着生长温度的升高,InN形貌由分离的薄片状转变为交织的圆饼状,其中非极性（100）晶面取向性增强,晶体质量得到改善;保持生长温度恒定,增加氨气流量,InN形态由圆饼状转变为垂直的柱状,晶体取向从由非极性面（100）为主向极性（002）面为主的趋势转变。本实验研究对InN纳米材料的可控生长具有指导作用。
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关键词
InN
InCl3" data-show="keyboard">">InCl3HCVD取向XRD
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基金项目(Foundation)
国家自然科学基金资助项目（51672185）；山西省自然科学基金资助项目（201801D121101）；
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文章目录
1 实验
1.1 InN纳米材料的制备
1.2 测试表征
2 结果与讨论
2.1 温度对InN纳米材料生长影响
2.1.1 微观形貌分析
2.1.2 晶体结构分析
2.1.3 化学成分分析
2.2 NH3流量对InN纳米材料生长影响
2.2.1 微观形貌分析
2.2.2 晶体结构分析
3 结论
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引用格式
张哲,于斌,李天保,余春燕,贾伟,郭俊杰,许并社.HCVD方法中生长温度和氨气流量对InN晶体结构和形貌的影响[J].太原理工大学学报,2020,51(06):789-793.
太原理工大学学报 
2020年第06期 
