Preparation and Energy Storage Properties of Copper-Based Electrode on Silicon Substrate
ZHANG Wenlei;WANG Weiheng;CHAI Chenyu;SUN Yongjiao;HU Jie;LI Gang
【目的】 以过渡金属氧化物、硫化物、氢氧化物为代表的赝电容材料由于其良好的比电容容值、高功率密度和低成本等优势,被广泛用于宏观常规超级电容器的电极中。然而,当前对于过渡金属电极的研究多采用非常温下合成,辅以导电剂、粘合剂固定的加工工艺,制约了其在以硅基底为主的微型超级电容器(micro-supercapacitor,MSC)中的应用。【方法】 在硅基底上沉积了钛集流体和铜薄膜,通过兼容微加工工艺的常温原位氧化法制备了氢氧化铜纳米线,并进一步通过浸泡硫化钠溶液实现了原位硫化。【结论】 测试结果表明,在1 mA/cm2 的电流密度下,硅基底硫化铜的比电容为166.98 mF/cm2,较氢氧化铜电极提升了6.68倍,500次充放电循环后电容保持率为74.2%,展现了其在硅基微型超级电容器方面广阔的应用前景。
copper sulfide; copper hydroxide; silicon substrate; supercapacitor; energy stor-age properties
主办单位:煤炭科学研究总院有限公司 中国煤炭学会学术期刊工作委员会