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不同规格的SiC晶须的生长工艺及机理
  • 596
  • 作者

    汪耀祖郭梦熊李伯涛韩敏芳

  • 单位

    北京研究生部

  • 摘要
    本研究采用固相合成法,利用稻壳作原料,在前期工作的基础上,通过改变反应气氛和催化剂的用量生长出了三种规格(直径分别为:0.2—0.8μm,0.5—1.5μm,3—5μm)的SiC晶须,并且晶须直径均匀,表面光滑,分析了有、无氢气参与反应的两种机理,提出了改变工艺条件对晶须生长过程中横向增厚的控制作用。
  • 关键词

    SiC晶须生长工艺生长机理

  • 基金项目(Foundation)
    国家八六三资助项目；
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