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石墨烯薄膜的生长及结构表征研究
  • 329
  • 424
  • 作者

    蔡晓岚刘志涛王菡王晓敏王永祯

  • 单位

    太原理工大学材料科学与工程学院

  • 摘要
    在常压条件下,以铜箔为基底、CH4为碳源,通过化学气相沉积法(CVD)生长出了石墨烯薄膜。利用拉曼光谱、扫描电子显微镜、四探针电导率仪表征分析了产物。结果表明:生长温度为1 000℃,H2流量为60mL/min,CH4流量为2.5mL/min,Ar流量为80mL/min时,在基底表面生长出了连续分布的石墨烯薄膜,且大部分区域为单层,同时结晶程度高缺陷小;转移后的石墨烯薄膜面积大、透光性良好,兼具有良好的导电性,其薄层电阻为1 822Ω。
  • 关键词

    石墨烯常压化学气相沉积结构表征

  • 基金项目(Foundation)
    山西省自然科学基金(20051028)；山西省科技攻关资助项目(20090321031)；太原市科技资助项目(120164037)；
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