并联SiC-MOSFET可调节驱动电路设计_中国煤炭行业知识服务平台

并联SiC-MOSFET可调节驱动电路设计

作者

汪俊奇邓永红徐海超张腾召汤礼凤
单位

华北科技学院信息与控制技术研究所
摘要

目前，在电动汽车、航空航天、煤矿、海洋油田等高电压等级、高频、高温、高功率密度环境中，碳化硅器件容易出现过流过压等短时过载情况而目前市场应用的多数驱动电路无法适应各种型号的SiC-MOSFET，本文设计了一种以IX4351为驱动芯片，可适应大多数厂家碳化硅器件参数的驱动电路。该驱动电路可实现负压调节自适应各类型号的SiC-MOSFET并且能够提供足够的峰值电流，实现驱动碳化硅并联电路，分析了碳化硅驱动电路的特点，计算了驱动功率，给出以IX4351为驱动核的驱动电路原理图。仿真和实验结果证明，本文中设计的SiC-MOSFET驱动电路可驱动并联SiC-MOSFET，能够驱动不同厂家提供的不同参数的碳化硅器件。
关键词

并联SiC-MOSFET IX4351 驱动电路驱动电阻
基金项目(Foundation)

中央高校基本科研业务费资助项目（3142018049）；卓越工程师教育培养计划项目（GXHZ2017-05)
引用格式

汪俊奇，邓永红，徐海超，等. 并联SiC-MOSFET可调节驱动电路设计［J］.华北科技学院学报，2022,19(5): 62-70.
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